Einführung in die Simulation von Halbleiter-Bauelementen - archiviert

Dies ist eine Aufzeichnung eines Webinars, das ursprünglich stattfand am 30.11.2017

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Von MOSFETS über LEDs bis zu Wafern - Halbleiterbauelemente sind essentielle Bestandteile moderner Technik in nahezu allen Branchen. Die numerische Simulation kann dabei ein wichtiges Hilfsmittel darstellen, um diese Bauelemente in ihrer Funktionsweise zu analysieren und somit deren Konzeption zu erleichtern.

Die Simulationsplattform COMSOL Multiphysics® bietet mit dem Semiconductor Module ein Produkt, mit dem die Drift-Diffusionsgleichungen für den Ladungsträgertransport sowie die Poissongleichung in 1D bis 3D gelöst werden. Eine Vielzahl von vordefinierten Randbedingungen und Transportmodellen erleichtert das Erstellen einer realitätsnahen Multiphysiksimulation.

Die Stärke der Software liegt hier in der Kopplungen zu anderen physikalischen Effekten, wie zum Beispiel Wärmetransport oder Berechnungen zur elektromagnetischen Wellenausbreitung (Optoelektronik), die in COMSOL Multiphysics mit wenig Aufwand umsetzbar sind. Solche Kopplungen werden beispielsweise benötigt, um Generationsraten aus Wellenoptik-Berechnungen zu übertragen und gleichzeitig die Absorption im Halbleitermaterial bei der elektromagnetischen Berechnung zu berücksichtigen.

Im Webinar werden die Einsatzmöglichkeiten des Semiconductor Module von COMSOL Multiphysics anhand verschiedener Anwendungsbeispiele vorgestellt. In einer Live-Demonstration wird der Simulationsprozess für die Simulation einer LED gezeigt. Am Ende des Webinars gehen wir auf Ihre Fragen ein.

www.pro-physik.de
In Kooperation mit www.pro-physik.de – das führende Physik-Portal von Wiley

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Referent/in

Sarina Grevsmühl
Comsol Multiphysics GmbH Sarina Grevsmühl arbeitet als Applications Engineer seit 2015 bei der Comsol Multiphysics GmbH. Sie hat Physik an der Georg-August-Universität Göttingen studiert und mit dem Diplom abgeschlossen. In ihrer Diplomarbeit befasste sie sich mit der elektrischen Charakterisierung von Störstellen, die sich nach einem Getterschritt in Eisen-kontaminiertem Silizium ausbilden.